內存芯片漲價-存儲芯片價格上漲

產品(pǐn)目錄:

1.緩存晶片提價官方消息

2.存儲晶(jīng)片提價官方消息

3.存儲晶片產品價格暴跌

4.晶片產品價格(gé)暴跌啥

5.晶片產(chǎn)品價格強勢反彈

6.緩存晶片提價其原因

7.存儲晶片產品價格態勢

8.晶片提價態勢

9.晶片產品價格下跌

10.晶片狂熱提價

1.緩存晶片提價官方消息

集微網報(bào)導 小雙俠的2020總算往(wǎng)後,對積體電路物流配送專業人士,斷貨提價估算會是她們這兩年中最真切的(de)自述禽流(liú)感暴發、停建關停、醫療保健電子設備消費市場需求猛增、代工新增產能嚴重不足、聖戈(gē)當(dāng)斯區辦公電子設備整天讀書消費市場需求穩步......這一連串蝴蝶效應全盤被打亂了2020年末的原先方案,整座產業發展在忍無可(kě)忍的應付(fù)中曆(lì)經著新一波又新一波的斷貨提價熱潮。

2.存儲(chǔ)晶片提價官(guān)方消息

但這當中,存儲晶片產品價(jià)格始終穩步平衡,即使在年中還小有上升但從11月已經開始,全金融行業的提價流行時(shí)尚總算刮到緩存這兒了,部份緩存產品價格已(yǐ)經開始下跌,緩存有關供應(yīng)商也爭相看跌下月的消費市場亞洲地區供應商若想乘著這波(bō)現銅大盤,迎升級換代代替的秋天呢?。

3.存儲晶片產品價(jià)格暴(bào)跌

暴跌引發(fā)的暴跌觸底反彈,2021年緩存晶片有望迎(yíng)提價?存儲晶片(piàn)主要(yào)分為DRAM緩存、NAND/NOR Flash閃存等產品,在積(jī)體電路總體營收中,占(zhàn)比高達(dá)1/3受供(gòng)應商投資,新增產能以及消費市場消(xiāo)費市場需求(qiú)的多方因素影響,存儲(chǔ)晶片產品價(jià)格常呈現周期性的波動變化。

4.晶片產品價格暴跌啥

上新一波存儲晶片提(tí)價潮起於2016年,始(shǐ)終穩步到(dào)2018年,三星公司即使憑借這波大提價而在2017年營收(shōu)首次超越英特爾,一舉成為全球第一大積體電路公司但這波暴跌也為其後續的降價埋下伏筆(bǐ),到2019年(nián)存(cún)儲(chǔ)消費市場(chǎng)需求供大於求(qiú)導致產品價格暴跌,直到年底才出現止跌回穩。

5.晶片產品價格強勢(shì)反彈

進入2020年,雖然有小幅回升,但在禽流感暴(bào)發,手機消費市場低迷(mí)的大環境下,再一次讓存儲晶片產品價格維持在欲升還降的層麵上直到2020年底,這種態勢總算迎改變

6.緩存晶片提價其原因

據中國閃存消費市場ChinaFlashMarket的最新報(bào)價顯示(shì),近一個月(12月)以來,緩存消費市場提價明顯,部份(fèn)渠道緩存條產品(pǐn)價格累積漲(zhǎng)幅已超過10%,金融行業緩存條產(chǎn)品價格漲幅則在5%左右存儲器IC設計廠晶豪科技也公開表示,利基型DRAM與NOR Flash均(jun1)已提價。

7.存(cún)儲晶片產品價格態勢(shì)

晶豪科技指出,利基型DRAM部(bù)份產品(pǐn)價(jià)格已已經開始調(diào)高,合約價方麵則將從下月第一季起已(yǐ)經開始調漲(zhǎng),上半年產品價格有望一路走漲;NOR Flash 消費市場情況相同(tóng),同樣已提價,下月有(yǒu)望進一步調漲據晶豪科技透露,提價其原因主要是近期的新(xīn)增產能供不應求,晶圓代工與封測成本下跌,如果新增產能穩步緊張(zhāng),下月第一、二季產品價格將穩步走高(gāo)。

8.晶片提價態勢

而據TrendForce的(de)最新預測,2021年第一季整體DRAM均價將止跌回穩存儲晶片大廠中,三(sān)星、海力士和美光仍然持謹慎態度據韓媒消息,三星2021年DRAM資本支出方案與2020年持平,但會(huì)將一些DRAM產線轉為圖像傳感器產線,這意味著,三星實際上消減了2021年的DRAM資本支出。

9.晶片產品(pǐn)價格下(xià)跌

SK海力士也(yě)同樣持保守態度,不會增加DRAM晶圓代工和NAND資本(běn)支出另外,華為(wéi)被美國(guó)製裁,美光作為華為的重要客戶,頗受影響,為此,美光此(cǐ)前曾向外界警告稱,由於一些公司客戶的消費市場需求疲弱,預(yù)測下月的(de)關鍵消費市場恐出現DRAM供應過剩的情況。

10.晶片狂熱提價

一方麵,存儲消(xiāo)費市場已給出提價信號,另一方麵,國外晶片(piàn)大廠仍然持保守態度,消減或維持(chí)原有新增產能,減少供應量,這讓2021年的存儲消費市場充滿了(le)山(shān)雨欲來的提(tí)價味道現銅大盤下,亞洲(zhōu)地區供應商機會幾何?在存儲晶片消費市場上,三星、海力士、美(měi)光、Kioxia、西(xī)部數據等頭部供應(yīng)商占據了90%的消費市場份額。

雖然留下的空間不大(dà),但是,中國龐大的消費市場(chǎng)消費(fèi)市場需求仍然孕育(yù)出(chū)了本土的存儲晶片供應商,例如,紫光(guāng)國芯、合肥長鑫、長(zhǎng)江存儲、兆易創(chuàng)新等供應商

緩存(cún)產品(pǐn)方麵,長(zhǎng)鑫存儲於2019年三(sān)季度成功(gōng)量產19nm工藝的DDR4/LPDDR4X晶片,接下來,長鑫存儲規劃將推出17nm DDR5/LPDDR5等下一代緩存產品前不久,長(zhǎng)鑫存儲又獲得了156億投資,這無疑將加速其在DRAM先(xiān)進技術及(jí)新增產能方麵的推進。

TrendForce公布的2020-2021年(nián)全球緩存供應商晶圓投片量的預估數據顯示(shì),長鑫存儲今年一季度投片量為1萬片(piàn)/月(yuè),但到四季度其投片量已經快速提升到了4.5萬片/月,到2021年四季度,預計長鑫存儲的投片量將達到8.5萬片/月,將超越目前排名(míng)第四的(de)南亞(yà)科技(7.1萬片/月)。

閃存方麵,長江存儲一枝獨秀(xiù),已實(shí)現國際先進(jìn)閃存技術的(de)突破長江(jiāng)存儲堅持走創新(xīn)差異化(huà)路線,於2018年8月推(tuī)出(chū)了自研Xtacking架構,又(yòu)創新性地跳過國際(jì)供應商的慣例96層堆疊閃存技術,率先推出(chū)了128層堆棧的QLC 3D NAND閃存。

據長江存儲CEO楊士寧透露,目前長江存儲的技術已經(jīng)處於全球(qiú)一流(liú)的水準,下一步就(jiù)是解決128層閃存產品的新增產能(néng)問題(tí)TrendForce公布的今年(nián)三季度全球NAND Flash閃存消費(fèi)市場數(shù)據顯示(shì),三星作為閃存(cún)老大,占有33.1%的全(quán)球份額,其他六家依次(cì)為Kioxia、西部數據、SK海力士、美光和Intel。

雖然留給其他閃存供應商的(de)份額隻有1.5%,但(dàn)當(dāng)中(zhōng)長江存(cún)儲份額最高,預計超過1%在這波(bō)現(xiàn)銅的大盤驅動下,國緩存儲晶片無疑將更易加速進入目標消費市場另外,在國家晶片自(zì)給率提升的有力政策指導下,升級換(huàn)代代(dài)替正逐步深入到各級供應商意識中。

但歸根結底(dǐ),要想實現升級換代代替,首要的保證是自(zì)身產品質量,不僅要滿足金融行業標準,性能(néng)消費市場需求,還要滿足(zú)用戶成本要求據(jù)悉,在長江存儲的Xtacking閃存生(shēng)態圈中,目前已有(yǒu)20多家供應商和100多款產品,當中,華為Mate40手機就使用了長(zhǎng)江(jiāng)存儲的64層閃存產品

而長鑫存儲的DRAM產品,目前也已經獲得了威剛科技、江波龍(lóng)、光威等主流緩存品牌供應商的采用,從長(zhǎng)鑫存儲官網可以看到(dào),長鑫(xīn)存儲目前供應(yīng)的(de)DDR4/LPDDR4X晶片以及DDR4模組(zǔ),可應用於PC、筆(bǐ)記本(běn)電腦、服務器(qì)、消費電子類產品等領域。

公開數據顯示,中國每年進口的晶片高達3000多(duō)億美元,這當中將(jiāng)近1/3是存(cún)儲晶片,在(zài)升級換代代替之路上(shàng),國緩存儲晶片供應商尚任重(chóng)道遠,但未來可期。(校對/Sky)

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